Dette er den første bog, der grundigt beskriver de mange facetter af doping i sammensatte halvledere. Der lægges lige stor vægt på den grundlæggende materialefysik og på de teknologiske aspekter af doping. Forfatteren beskriver detaljeret alle de forskellige teknikker, herunder doping under epitaksial vækst, doping ved implantation og doping ved diffusion. De vigtigste egenskaber ved alle doteringsmidler, der er blevet anvendt i IIIâV halvledere, diskuteres. Derudover analyseres generelle egenskaber ved doteringsmidler, herunder elektrisk aktivitet, mætning, amfotericitet autokompensation og maksimal opnåelig doteringskoncentration. Det rettidige emne med stærkt doterede halvledere diskuteres også. Teknologisk vigtige dybe niveauer opsummeres. Egenskaberne af dybe niveauer præsenteres fænomenologisk. Det sidste kapitel er dedikeret til den eksperimentelle karakterisering af urenheder. Sprog: Engelsk